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650V高压超级结MOSFET

650V/20A65R170DFN8*8,650V/47A65R090DFN8*8低RDS(on)、低栅极电荷、快速切换和优异的雪崩特性

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    广东 深圳 宝安区 福永街道下十围31号中润悦尚229
产品特性:低电阻品牌:LH型号:LH65R170
封装:DFN8X8批号:16578漏源电压(Vdss):650v
漏极电流(Id):25漏源导通电阻(RDS On):170mr栅源电压(Vgs):30
栅极电荷(Qg):38.5反向恢复时间:59工作温度范围:-55-155c

超级结MOSFET LH65R090FD具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速切换和优异的雪崩特性。该设备提供了非常快速和健壮的身体二极管,并适合电信和电源供应。特性:■***雪崩测试■低功耗通过高速开关■低电阻■适用于:直流-直流转换器■UPS-微型逆变器系统■PFC电源

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